影響(xiang)絕緣(yuan)電阻的因(yin)素的幾個主(zhu)要(yao)因(yin)素

壹(yi)、溫(wen)度的影響(xiang)
 運行(xing)中的電(dian)力(li)設(she)備(bei)其溫(wen)度隨周(zhou)圍環境(jing)變(bian)化，其絕緣(yuan)電阻也是(shi)隨溫(wen)度而(er)變(bian)化的。壹(yi)般(ban)情況(kuang)下(xia)，絕(jue)緣(yuan)電阻隨溫(wen)度升(sheng)高(gao)而降低(di)。原因(yin)在(zai)於(yu)溫(wen)度升(sheng)高(gao)時(shi)，絕(jue)緣(yuan)介質內部離(li)子(zi)、分子運動加劇(ju)，絕緣(yuan)物內的水分及其中含(han)有(you)的雜(za)質、鹽分等物(wu)質也(ye)呈擴散(san)趨勢(shi)，使(shi)電導增加，絕(jue)緣(yuan)電阻降低(di)。這與(yu)導體的電(dian)阻(zu)隨溫(wen)度的變(bian)化(hua)是(shi)不(bu)壹(yi)樣(yang)的。不(bu)同的電(dian)力(li)設(she)備(bei)及不(bu)同材料制(zhi)成(cheng)的電(dian)力(li)設(she)備(bei)，其絕緣(yuan)電阻隨溫(wen)度的變(bian)化(hua)也不(bu)壹(yi)樣(yang)，現場(chang)測童(tong)也(ye)很難保(bao)證在(zai)*近(jin)似(si)的溫(wen)度下(xia)進(jin)行(xing)。為了進行(xing)試驗結(jie)果(guo)比較(jiao)，有(you)關單(dan)位(wei)曾給(gei)出壹(yi)些(xie)設(she)備(bei)的溫(wen)度換(huan)算系數(shu)，但(dan)由於(yu)設(she)備(bei)的陳(chen)舊程(cheng)度、幹(gan)燥(zao)程(cheng)度，使(shi)用(yong)的測(ce)溫(wen)方法等(deng)影響(xiang)因(yin)素很(hen)多(duo)，很難得(de)出(chu)壹(yi)個(ge)準(zhun)確的換(huan)算系數(shu)。因(yin)此(ci)實際測(ce)量絕緣(yuan)電阻時(shi)，必(bi)須記(ji)錄(lu)試驗溫(wen)度（環(huan)境(jing)溫(wen)度及設(she)備(bei)本體溫(wen)度），而(er)且盡可(ke)能(neng)在(zai)相(xiang)近(jin)溫(wen)度下(xia)進(jin)行(xing)測量，以避(bi)免(mian)溫(wen)度換(huan)算引(yin)起的誤差。
二、濕(shi)度和電力設(she)備(bei)表(biao)面(mian)臟汙的影響(xiang)

 電力(li)設(she)備(bei)周(zhou)圍環境(jing)濕(shi)度的變(bian)化(hua)及空氣(qi)汙(wu)染(ran)造成(cheng)的表(biao)面(mian)臟汙對絕(jue)緣(yuan)電阻影響(xiang)很大(da)。空(kong)氣(qi)相(xiang)對濕(shi)度增大(da)時(shi)，絕(jue)緣(yuan)物表(biao)面(mian)吸(xi)附(fu)許多(duo)水分，使表(biao)面(mian)電(dian)導(dao)率增加，絕(jue)緣(yuan)電阻降低(di)。當絕緣(yuan)物表(biao)面(mian)形成(cheng)連通(tong)水膜(mo)時(shi)，絕(jue)緣(yuan)電阻更(geng)低。如(ru)雨後(hou)測得(de)壹(yi)組220kV磁吹(chui)避(bi)雷(lei)器的絕(jue)緣(yuan)電阻僅為2000MΩ；當屏蔽(bi)掉(diao)其表(biao)面(mian)電(dian)流(liu)時(shi)，絕(jue)緣(yuan)電阻為1000MΩ以上(shang)；第二(er)天下(xia)午晴天，在(zai)表(biao)面(mian)幹(gan)燥(zao)狀態下測量其絕緣(yuan)電阻也在(zai)1000MΩ以(yi)上(shang)。電力設(she)備(bei)的表(biao)面(mian)臟汙也(ye)使設(she)備(bei)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu)大(da)大(da)降低(di)，絕緣(yuan)電阻顯(xian)著(zhu)下(xia)降。根據(ju)以上兩種(zhong)情況(kuang)，現場(chang)測量(liang)絕(jue)緣(yuan)電阻時(shi)都(dou)必(bi)須用(yong)屏(ping)蔽環消除(chu)表(biao)面(mian)泄(xie)漏(lou)電(dian)流的影響(xiang)或烘幹、清(qing)擦(ca)幹凈(jing)設(she)備(bei)表(biao)面(mian)，以(yi)得(de)到真實的測(ce)量(liang)值。
三(san)、殘(can)余電(dian)荷(he)的影響(xiang)

 大(da)容(rong)量(liang)設(she)備(bei)運行(xing)中的殘(can)余電(dian)荷(he)或(huo)試驗中(zhong)形成(cheng)的殘(can)余電(dian)荷(he)未(wei)*放盡，會(hui)造成(cheng)絕緣(yuan)電阻偏大(da)或(huo)偏小(xiao)，引(yin)起測得(de)的絕(jue)緣(yuan)電阻不(bu)真實。殘(can)余電(dian)荷(he)的極(ji)性(xing)與(yu)兆歐(ou)表(biao)的極(ji)性(xing)相(xiang)同(tong)時(shi)，測(ce)得(de)的絕(jue)緣(yuan)電阻將比真實值增大(da)；殘(can)余電(dian)荷(he)的極(ji)性(xing)與(yu)兆歐(ou)表(biao)的極(ji)性(xing)相(xiang)反時(shi)，測(ce)得(de)的絕(jue)緣(yuan)電阻將比真實值減小。原因(yin)在(zai)於(yu)極(ji)性(xing)相(xiang)同(tong)時(shi)，由於(yu)同(tong)性(xing)相(xiang)斥，兆歐(ou)表(biao)輸(shu)出(chu)較(jiao)少(shao)電荷(he)；極性(xing)相(xiang)反時(shi)，兆(zhao)歐(ou)表(biao)要(yao)輸(shu)出(chu)更(geng)多(duo)電荷(he)去中(zhong)和殘(can)余電(dian)荷(he)。為(wei)消除殘(can)余電(dian)荷(he)的影響(xiang)，測量(liang)絕緣(yuan)電阻前必(bi)須充(chong)分接地(di)放電(dian)，重復側量中(zhong)也(ye)應(ying)充分放電(dian)，大(da)容(rong)量(liang)設(she)備(bei)應(ying)至(zhi)少(shao)放電(dian)5min。如壹(yi)大(da)容(rong)量(liang)變(bian)壓器，充分放電(dian)後(hou)測得(de)其屍個(ge)繞組的絕(jue)緣(yuan)電阻為4000MΩ，第二(er)次(ci)再(zai)測(ce)同壹(yi)繞(rao)組（未充(chong)分放電(dian)），絕緣(yuan)電阻為5000MΩ，宛分放電(dian)10min後(hou)第三(san)次測(ce)量(liang)，其絕緣(yuan)電阻為4000MΩ。